DXT2011P5Q-13

Diodes Incorporated DXT2011P5Q-13

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  • DXT2011P5Q-13
  • Diodes Incorporated
  • PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
  • 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
  • DXT2011P5Q-13 数据表
  • PowerDI™ 5
  • Bag
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 4118
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
DXT2011P5Q-13
类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商
Diodes Incorporated
说明
PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
封装
Bag
串联
Automotive, AEC-Q101
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerDI™ 5
供应商设备包
PowerDI™ 5
功率-最大
3.2 W
晶体管类型
NPN
集电器电流(Ic)(最大值)
6 A
电压-集电极-发射极击穿(最大)
100 V
电压饱和度(最大)@Ib,Ic
220mV @ 500mA, 5A
集电极截止电流(最大)
20nA (ICBO)
直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce
100 @ 2A, 2V
频率-转换
130MHz

DXT2011P5Q-13 保障

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