Diodes Incorporated DXT2011P5Q-13
- DXT2011P5Q-13
- Diodes Incorporated
- PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
- DXT2011P5Q-13 数据表
- PowerDI™ 5
- Bag
-
无铅/符合RoHS - 4118
- 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
- 1年质量保障 》
- 点击获取费率
| 零件编号 DXT2011P5Q-13 |
| 类别 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 制造商 Diodes Incorporated |
| 说明 PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5 |
| 封装 Bag |
| 串联 Automotive, AEC-Q101 |
| 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 Surface Mount |
| 包装/外壳 PowerDI™ 5 |
| 供应商设备包 PowerDI™ 5 |
| 功率-最大 3.2 W |
| 晶体管类型 NPN |
| 集电器电流(Ic)(最大值) 6 A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) 100 V |
| 电压饱和度(最大)@Ib,Ic 220mV @ 500mA, 5A |
| 集电极截止电流(最大) 20nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce 100 @ 2A, 2V |
| 频率-转换 130MHz |
DXT2011P5Q-13 保障



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