IPA126N10N3G

Infineon Technologies IPA126N10N3G

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  • IPA126N10N3G
  • Infineon Technologies
  • 35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • IPA126N10N3G 数据表
  • -
  • Bulk
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 1717
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
IPA126N10N3G
类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
Infineon Technologies
说明
35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL
封装
Bulk
串联
-
工作温度
-
安装类型
-
包装/外壳
-
供应商设备包
-
功率-最大
-
场效晶体管类型
-
场效晶体管特性
-
漏极电压(Vdss)
-
电流-连续排放(Id)@25°C
-
漏极与源极之间的导通电阻(最大)@ Id, Vgs
-
开启电压(最大)@Id
-
开启电压下的栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
-
漏源电压下的输入电容(Ciss)(最大)@ Vds
-

IPA126N10N3G 保障

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