PBLS1503V,115

NXP USA Inc. PBLS1503V,115

图片仅供参考,请参阅产品规格

  • PBLS1503V,115
  • NXP USA Inc.
  • TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
  • 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
  • PBLS1503V,115 数据表
  • SOT-563, SOT-666
  • -Reel®
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 2015
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
PBLS1503V,115
类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商
NXP USA Inc.
说明
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
封装
-Reel®
串联
-
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-666
功率-最大
300mW
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电器电流(Ic)(最大值)
100mA, 500mA
电压-集电极-发射极击穿(最大)
50V, 15V
电压饱和度(最大)@Ib,Ic
150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
集电极截止电流(最大)
1µA, 100nA
直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce
30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
频率-转换
280MHz
电阻器-基极(R1)
10kOhms
电阻器-发射极基极(R2)
10kOhms

PBLS1503V,115 保障

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