Vishay Siliconix SIZ254DT-T1-GE3
- SIZ254DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
- 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- SIZ254DT-T1-GE3 数据表
- 8-PowerWDFN
- Bulk
-
无铅/符合RoHS - 20384
- 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
- 1年质量保障 》
- 点击获取费率
| 零件编号 SIZ254DT-T1-GE3 |
| 类别 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
| 制造商 Vishay Siliconix |
| 说明 DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET |
| 封装 Bulk |
| 串联 TrenchFET® Gen IV |
| 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 Surface Mount |
| 包装/外壳 8-PowerWDFN |
| 供应商设备包 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| 功率-最大 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| 场效晶体管类型 2 N-Channel (Dual) |
| 场效晶体管特性 Standard |
| 漏极电压(Vdss) 70V |
| 电流-连续排放(Id)@25°C 11.7A (Ta), 32.5A (Tc) |
| 漏极与源极之间的导通电阻(最大)@ Id, Vgs 16.1mOhm @ 10A, 10V |
| 开启电压(最大)@Id 2.4V @ 250µA |
| 开启电压下的栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 20nC @ 10V |
| 漏源电压下的输入电容(Ciss)(最大)@ Vds 795pF @ 35V, 765pF @ 35V |
SIZ254DT-T1-GE3 保障



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