BSC050NE2LSATMA1

Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1

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  • BSC050NE2LSATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 单
  • BSC050NE2LSATMA1 数据表
  • 8-PowerTDFN
  • Tape & Reel (TR)
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 3697
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
BSC050NE2LSATMA1
类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
说明
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
封装
Tape & Reel (TR)
串联
OptiMOS™
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
PG-TDSON-8-5
技术
MOSFET (Metal Oxide)
功耗(最大)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
场效晶体管类型
N-Channel
场效晶体管特性
-
漏极电压(Vdss)
25 V
电流-连续排放(Id)@25°C
39A (Ta), 58A (Tc)
漏极与源极之间的导通电阻(最大)@ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
开启电压(最大)@Id
2V @ 250µA
开启电压下的栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs
10.4 nC @ 10 V
漏源电压下的输入电容(Ciss)(最大)@ Vds
760 pF @ 12 V
开启电压(最大)
±20V
驱动电压(最大漏源电阻,最小漏源电阻)
4.5V, 10V

BSC050NE2LSATMA1 保障

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