CHT-NMOS8001

CHT-NMOS8001 80V/1A high temperature high performance compact NMOS

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  • CHT-NMOS8001
  • CHT-NMOS8001 80V/1A high temperature high performance compact NMOS
  • CISSOID
  • Discrete devices and power modules
  • CHT-NMOS8001 数据表
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 999
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》 了解更多
  • 点击获取费率
  • 温度范围:-55°C 至 +225°C
  • 漏极电压高达 80V
  • 225°C 时的最大漏极电流:1A DC,3A 脉冲
  • 罗恩:0.76Ω@25°C 和 1.56Ω@225°C
  • Vgs=-5V to +5V(兼容0/+5V控制)
  • 采用 TDFP16 封装 (5.0 x 5.5mm)
  • CHT-NMOS8001 保障

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