Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1
- DF23MR12W1M1B11BPSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET MOD 1200V 25A
- 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- DF23MR12W1M1B11BPSA1 数据表
- Module
- Tape & Reel (TR)
-
无铅/符合RoHS - 3864
- 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
- 1年质量保障 》
- 点击获取费率
| 零件编号 DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
| 类别 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
| 制造商 Infineon Technologies |
| 说明 MOSFET MOD 1200V 25A |
| 封装 Tape & Reel (TR) |
| 串联 CoolSiC™+ |
| 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 Chassis Mount |
| 包装/外壳 Module |
| 供应商设备包 AG-EASY1BM-2 |
| 功率-最大 20mW |
| 场效晶体管类型 2 N-Channel (Dual) |
| 场效晶体管特性 Silicon Carbide (SiC) |
| 漏极电压(Vdss) 1200V (1.2kV) |
| 电流-连续排放(Id)@25°C 25A (Tj) |
| 漏极与源极之间的导通电阻(最大)@ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| 开启电压(最大)@Id 5.55V @ 10mA |
| 开启电压下的栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 62nC @ 15V |
| 漏源电压下的输入电容(Ciss)(最大)@ Vds 1840pF @ 800V |
DF23MR12W1M1B11BPSA1 保障



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