Infineon Technologies FF650R17IE4PBOSA1
- FF650R17IE4PBOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MODULE 1700V 650A
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
- FF650R17IE4PBOSA1 数据表
- Module
- Tray
-
无铅/符合RoHS - 2001
- 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
- 1年质量保障 》
- 点击获取费率
| 零件编号 FF650R17IE4PBOSA1 |
| 类别 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 制造商 Infineon Technologies |
| 说明 IGBT MODULE 1700V 650A |
| 封装 Tray |
| 串联 - |
| 工作温度 -40°C ~ 150°C |
| 安装类型 Chassis Mount |
| 包装/外壳 Module |
| 供应商设备包 Module |
| 功率-最大 - |
| 配置 2 Independent |
| 集电器电流(Ic)(最大值) 650 A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) 1700 V |
| 集电极截止电流(最大) 5 mA |
| 绝缘栅双极晶体管类型 Trench Field Stop |
| 集电极和发射极之间电压(导通)(Max)@Vge,Ic 2.45V @ 15V, 650A |
| 集电极和发射极之间电压下的输入电容(Cies) 54 nF @ 25 V |
| 输入 Standard |
| 热敏电阻 Yes |
FF650R17IE4PBOSA1 保障



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