MT53E256M16D1DS-046 AAT:B

Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AAT:B

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  • MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
  • Micron Technology Inc.
  • IC DRAM LPDDR4 WFBGA
  • 存储器
  • MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 数据表
  • -
  • Tray
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 4183
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
类别
存储器
制造商
Micron Technology Inc.
说明
IC DRAM LPDDR4 WFBGA
封装
Tray
串联
Automotive, AEC-Q100
电压-电源
1.1V
工作温度
-40°C ~ 105°C (TC)
安装类型
-
包装/外壳
-
供应商设备包
-
内存大小
4Gb (256M x 16)
技术
SDRAM - Mobile LPDDR4
存储器类型
Volatile
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
-
内存格式
DRAM
写入周期页
-
存储器接口
-

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 保障

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