NSBA114EDXV6T1G

ON Semiconductor NSBA114EDXV6T1G

图片仅供参考,请参阅产品规格

  • NSBA114EDXV6T1G
  • ON Semiconductor
  • TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
  • 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
  • NSBA114EDXV6T1G 数据表
  • SOT-563, SOT-666
  • Cut Tape (CT)
  • 无铅/符合RoHS无铅/符合RoHS
  • 1279
  • 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
  • 1年质量保障 》
  • 点击获取费率
零件编号
NSBA114EDXV6T1G
类别
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商
ON Semiconductor
说明
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
封装
Cut Tape (CT)
串联
-
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
功率-最大
500mW
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电器电流(Ic)(最大值)
100mA
电压-集电极-发射极击穿(最大)
50V
电压饱和度(最大)@Ib,Ic
250mV @ 300µA, 10mA
集电极截止电流(最大)
500nA
直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce
35 @ 5mA, 10V
频率-转换
-
电阻器-基极(R1)
10kOhms
电阻器-发射极基极(R2)
10kOhms

NSBA114EDXV6T1G 保障

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