Vishay Siliconix SI1431DH-T1-GE3
- SI1431DH-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- SI1431DH-T1-GE3 数据表
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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无铅/符合RoHS - 1420
- 现货库存/授权经销商/工厂剩余库存
- 1年质量保障 》
- 点击获取费率
| 零件编号 SI1431DH-T1-GE3 |
| 类别 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
| 制造商 Vishay Siliconix |
| 说明 MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 |
| 封装 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 串联 TrenchFET? |
| 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 Surface Mount |
| 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备包 SC-70-6 (SOT-363) |
| 技术 MOSFET (Metal Oxide) |
| 功耗(最大) 950mW (Ta) |
| 场效晶体管类型 P-Channel |
| 漏极电压(Vdss) 30V |
| 电流-连续排放(Id)@25°C 1.7A (Ta) |
| 漏极与源极之间的导通电阻(最大)@ Id, Vgs 200 mOhm @ 2A, 10V |
| 开启电压(最大)@Id 3V @ 100µA |
| 开启电压下的栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4nC @ 4.5V |
| 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V |
| 开启电压(最大) ±20V |
SI1431DH-T1-GE3 保障



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